[发明专利]硅晶圆及其制造方法在审
| 申请号： | 201710295774.5 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN108807138A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 加藤健夫;高石和成;桥井友裕 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张雨;刘林华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅晶圆及其制造方法，在本发明的硅晶圆的制造方法中，利用双面研磨装置同时研磨硅晶圆的正面以及背面，之后，研磨倒角部，之后，在硅晶圆的背面以及倒角部形成保护膜，之后，将硅晶圆供给至双面研磨装置，只研磨硅晶圆的正面，之后，去除保护膜。通过该制造方法，获得正面和背面被镜面化且只有正面被精磨的硅晶圆，该硅晶圆的GBIR的值为1000nm以下，并且ESFQD‑mean的值为100nm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 硅晶圆 研磨 背面 双面研磨装置 保护膜 倒角部 制造 镜面化 精磨 去除 | ||
【主权项】：
1.一种硅晶圆，其正面以及背面的混浊值为50ppm以下，所述正面的混浊值小于所述背面的混浊值，所述硅晶圆的特征在于，所述硅晶圆的GBIR的值为1000nm以下，所述硅晶圆的ESFQD‑mean的值为100nm以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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