[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710293034.8 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN108807516B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底上形成有层间介质层，层间介质层内具有露出部分基底的开口，开口侧壁形成有侧墙，开口底部、侧墙表面和层间介质层顶部形成有高k栅介质层；至少去除位于层间介质层顶部的高k栅介质层；对剩余的高k栅介质层进行沉积后退火工艺；在所述沉积后退火工艺后，在开口中填充金属层，形成金属栅极结构。本发明通过至少去除位于层间介质层顶部的高k栅介质层的方案，减小高k栅介质层的长度，从而减小高k栅介质层在沉积后退火工艺影响下的膨胀量(或收缩量)，相应减小高k栅介质层因产生过大应力而发生破裂的可能性，以减小栅极漏电流，进而提高所形成半导体结构的电学性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有层间介质层，所述层间介质层内具有露出部分所述基底的开口，所述开口的侧壁形成有侧墙，所述开口底部、所述侧墙表面以及所述层间介质层顶部形成有高k栅介质层；至少去除位于所述层间介质层顶部的高k栅介质层；对剩余的高k栅介质层进行沉积后退火工艺；在所述沉积后退火工艺后，在所述开口中填充金属层，形成金属栅极结构。
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