[发明专利]测量半导体装置的横向扩散长度的方法

摘要

本发明提供测量半导体装置的横向扩散长度的方法，此方法包含提供基底，在基底上形成复数个宽度逐渐缩小的遮罩，遮罩之间具有尺寸大致相同的复数个开口，经由开口植入掺质于基底，以形成复数个掺杂区，其中这些掺杂区的复数个间距逐渐缩小，直到两相邻掺杂区接触，其中这些间距具有一最小间距且邻接接触的两相邻掺杂区，在这些开口中形成导电材料以各自在这些掺杂区上形成复数个电极，藉由测量相邻的两电极之间的电性，以找出接触的两相邻掺杂区及最小间距的位置，以及测量最小间距上方的遮罩的宽度以计算这些掺杂区的横向扩散长度。

主权项

1.一种测量半导体装置的横向扩散长度的方法，其特征在于，所述的方法包括:提供一基底；在所述的基底上形成复数个宽度逐渐缩小的遮罩，所述的遮罩之间具有尺寸大致相同的复数个开口；经由所述的开口植入一掺质于所述的基底，以形成复数个掺杂区，其中所述的掺杂区的复数个间距逐渐缩小，直到两相邻掺杂区接触，其中所述的间距具有一最小间距且邻接所述的接触的两相邻掺杂区；在所述的开口中形成导电材料以各自在所述的掺杂区上形成复数个电极；藉由测量相邻的两电极之间的电性，以找出所述的接触的两相邻掺杂区及所述的最小间距的位置；以及测量所述的最小间距上方的遮罩的宽度以计算所述的掺杂区的一横向扩散长度。