[发明专利]用于无损检测半导体薄膜霍尔效应的基片及其制备方法

摘要

本发明涉及半导体材料测量设备领域，具体涉及一种用于无损检测半导体薄膜霍尔效应的基片及其制备方法。本发明是在抛光基底上沉积图形化的绝缘膜层，之后在图形化区域内填充内电极、外电极及引线。当测试半导体薄膜霍尔效应时，内电极上表面与被测薄膜下表面形成欧姆接触，霍尔效应仪探针与外电极接触，外电极和内电极由引线导通。因此可避免霍尔效应仪探针直接与被测薄膜表面接触，实现无损测试。

主权项

一种用于无损检测半导体薄膜霍尔效应的基片，包括基底(1)，所述的基底(1)为正方形，边长为5‑15mm，其特征在于：还包括绝缘膜层(2)和测试电极，所述的基底(1)上嵌设图形化的绝缘膜层(2)，图形化的绝缘膜层(2)内填充有测试电极，测试电极包括内电极(3)、外电极(4)和引线(5)，外电极(4)和内电极(3)由引线(5)导通，所述的测试电极设置有两组，分别设置于基片的四角和基片的四边的中心位置。