[发明专利]MXn有效

专利信息
申请号: 201710285630.1 申请日: 2017-04-27
公开(公告)号: CN108807604B 公开(公告)日: 2020-11-06
发明(设计)人: 王宇;曹蔚然;李龙基 申请(专利权)人: TCL科技集团股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/02;H01L33/06
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 李艳丽
地址: 516006 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种MXn薄膜的制备方法,包括以下步骤:提供MXm粉末,将所述MXm粉末分散在溶剂中,得到MXm分散液;在所述MXm分散液中加入(NH4)2X,搅拌或超声处理直至得到澄清的混合溶液;将所述混合溶液进行加热搅拌处理,得到多硫化物前驱体溶液,然后通过溶液加工法沉积膜层;将所述膜层在80‑120℃退火处理后,在还原或惰性气氛下,于250‑300℃条件下进行加热处理,得到MXn薄膜,其中,所述MXm、(NH4)2X、MXn中,X为S、Se中的至少一种;所述MXm、MXn中,M为Mo、W、V、Nb、Ta中的一种,所述MXm中,m的取值范围为2≤m≤3;所述MXn中,n的取值范围为2≤n﹤3,且n≤m。
搜索关键词: mx base sub
【主权项】:
1.一种MXn薄膜的制备方法,包括以下步骤:提供MXm粉末,将所述MXm粉末分散在溶剂中,得到MXm分散液;在所述MXm分散液中加入(NH4)2X,搅拌或超声处理直至得到澄清的混合溶液;将所述混合溶液进行加热搅拌处理,得到多硫化物前驱体溶液,然后通过溶液加工法沉积膜层;将所述膜层在80‑120℃退火处理后,在还原或惰性气氛下,于250‑300℃条件下进行加热处理,得到MXn薄膜,其中,所述MXm、(NH4)2X、中,X为S、Se中的至少一种;所述MXm、MXn中,M为Mo、W、V、Nb、Ta中的一种,所述MXm中,m的取值范围为2≤m≤3;所述MXn中,n的取值范围为2≤n﹤3,且n≤m。
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