[发明专利]具有凹槽的石墨烯太赫兹传感器在审
| 申请号： | 201710282382.5 | 申请日： | 2017-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN106970038A | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 黄晓敏 | 申请（专利权）人： | 黄晓敏 |
| 主分类号： | G01N21/3581 | 分类号： | G01N21/3581 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所44242 | 代理人： | 冯筠 |
| 地址： | 528000 广东省佛山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种新型结构的石墨烯基太赫兹传感器，其包括周期性凹槽，周期性凹槽的平面和侧壁上通过表面氧化形成一层氧化物层，在所述氧化物层的表面上形成金属颗粒层，然后将石墨烯层形成在上面，使得形成的太赫兹传感器具有较好的探测效率，背面形成的银层同时起到反射作用以及等离子体激元增强的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 凹槽 石墨 赫兹 传感器 | ||
【主权项】：
一种具有凹槽的石墨烯太赫兹传感器，其特征在于，包含：硅基板，所述硅基板表面形成周期性凹槽，周期性凹槽的平面和侧壁上通过表面氧化形成一层氧化物层，在所述氧化物层的表面上形成金属颗粒层；通过转移法将石墨烯层转移到硅基板具有所述周期性凹槽的一面上；在石墨烯层两端形成源极和漏极；在硅基板的背面也形成周期性凹槽，用银填充硅基板背面的凹槽，并且填充完成后用同样的材料形成一层银层；所述背面的周期性凹槽的长度是正面周期性凹槽的长度的两倍；所述背面凹槽的深度范围是10‑300微米。
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