[发明专利]钝化后互连结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710272117.9 | 申请日： | 2012-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN107256853A | 公开（公告）日： | 2017-10-17 |
| 发明（设计）人： | 吴逸文;林正怡;何明哲;刘重希 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/488;H01L23/498;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体器件包括：导电层，该导电层通过浸镀锡工艺形成于钝化后互连(PPI)结构的表面上；聚合物层，该聚合物层形成于导电层上并且经图案化具有暴露出一部分导电层的开口；以及焊料凸块，该焊料凸块形成于聚合物层的开口中以电连接至PPI结构。本发明提供了钝化后互连结构及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；导电焊盘，位于所述半导体衬底的上面；钝化层，位于所述半导体衬底和所述导电焊盘的上面；第一保护层，位于所述钝化层上面；互连层，位于所述第一保护层的上面并且包括线区域和接合焊盘区域，其中，所述互连层与所述导电焊盘直接接触；导电层，所述导电层是金属间化合物(IMC)层并且形成于所述互连层的所述线区域和所述接合焊盘区域的表面上，所述导电层两端延伸出的两侧壁内侧与所述互连层的两端侧壁相接，并且所述导电层两端延伸出的两侧壁相对，其中，所述导电层包含锡(Sn)；第二保护层，形成于所述导电层上并且包括开口，所述开口暴露出位于所述接合焊盘区域上的一部分所述导电层，其中，所述导电层用作所述互连层与所述第二保护层之间的粘合膜以保护所述互连层免受湿气侵袭；以及焊料凸块，形成于所述第二保护层的所述开口中并且被配置成与所述金属间化合物层电连接，所述金属间化合物层的位于所述开口中的部分的顶面高于所述金属间化合物层的未位于所述开口中的部分的顶面，其中，在所述线区域上，所述焊料凸块远离所述导电焊盘的最大距离大于所述导电层远离所述导电焊盘的最大距离。
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