[发明专利]半导体器件

摘要

提供一种可以具有抗噪声性和抗ESD性二者的半导体器件。该半导体器件包括：第一数字电路和第二数字电路；分别对应于第一数字电路和第二数字电路设置的第一接地电位线和第二接地电位线；第一模拟电路和第二模拟电路；分别对应于第一模拟电路和第二模拟电路设置的第三接地电位线和第四接地电位线；第一双向二极管组，设置在第一接地电位线和第二接地电位线之间；第二双向二极管组，设置在第三地电位线和第四地电位线之间；和第三双向二极管组，设置在第一接地电位线和第三接地电位线之间。第三双向二极管组中的双向二极管的级数大于包括在第一双向二极管组和第二双向二极管组中的每个双向二极管组中的双向二极管的级数。

主权项

一种半导体器件，包括：第一数字电路和第二数字电路；分别对应于所述第一数字电路和所述第二数字电路设置的第一接地电位线和第二接地电位线；第一模拟电路和第二模拟电路；分别对应于所述第一模拟电路和所述第二模拟电路设置的第三接地电位线和第四接地电位线；第一双向二极管组，设置在所述第一接地电位线和所述第二接地电位线之间；第二双向二极管组，设置在所述第三接地电位线和所述第四接地电位线之间；和第三双向二极管组，设置在所述第一接地电位线和所述第三接地电位线之间，其中所述第三双向二极管组中的双向二极管的级数大于包括在所述第一双向二极管组和所述第二双向二极管组中的每个双向二极管组中的双向二极管的级数。