[发明专利]用以形成交叉耦接接触的装置及方法有效
| 申请号： | 201710266521.5 | 申请日： | 2017-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN107424922B | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 古拉梅·伯奇;杰森伊葛尼·史蒂芬;特尼·古哈尼欧;孙锴;D·E·奇瓦;大卫查理·理查;安迪·韦 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/3213;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用以形成交叉耦接接触的装置及方法，其揭示通过针对交叉耦接拾取(pick‑up)图案化而具有交叉耦接接触的半导体装置以及制造该半导体装置的方法。一种方法包括例如：获得中间半导体装置；执行第一光刻，以图案化第一形状；执行第二光刻，以图案化与该第一形状的部分重叠的第二形状；处理该第一形状及该第二形状，以在该重叠处形成隔离区；以及形成由该隔离区分离的四个区域。本发明还揭露一种中间半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 用以 形成 交叉 接触 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：获得中间半导体装置；执行第一光刻，以图案化第一形状；执行第二光刻，以图案化与该第一形状的部分重叠的第二形状；处理该第一形状及该第二形状，以在该重叠处形成隔离区；以及形成由该隔离区分离的四个区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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