[发明专利]电子设备及具备ESD防护功能的芯片内部电路有效
| 申请号： | 201710264366.3 | 申请日： | 2017-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN108735729B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 邱卫斌;邹文安 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海隆天律师事务所 31282 | 代理人： | 臧云霄;钟宗 |
| 地址： | 201506 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本公开提供一种电子设备及具备ESD防护功能的芯片内部电路。所述芯片内部电路与至少一外部电极连接；所述芯片内部电路包括：至少一MOS管元件；所述MOS管元件具有栅极电极、源极电极以及漏极电极；所述MOS管元件的源极电极与所述外部电极连接，所述源极电极与所述外部电极之间串联一ESD防护电阻；或者所述MOS管元件的漏极电极与所述外部电极连接，所述漏极电极与所述外部电极之间串联一ESD防护电阻。本公开能够使得MOS管元件在按照芯片代工厂所提供的芯片设计规范进行布局时，可以不受到ESD防护规范的限制而实现芯片内部电路的ESD防护功能。 | ||
| 搜索关键词： | 电子设备 具备 esd 防护 功能 芯片 内部 电路 | ||
【主权项】：
1.一种具备ESD防护功能的芯片内部电路，所述芯片内部电路与至少一外部电极连接；其特征在于，所述芯片内部电路包括：至少一MOS管元件；所述MOS管元件具有栅极电极、源极电极以及漏极电极；所述MOS管元件的源极电极与所述外部电极连接，所述源极电极与所述外部电极之间串联一ESD防护电阻；或者所述MOS管元件的漏极电极与所述外部电极连接，所述漏极电极与所述外部电极之间串联一ESD防护电阻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
