[发明专利]一种产生太赫兹调制波的方法有效
| 申请号： | 201710259288.8 | 申请日： | 2017-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN108736295B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 张凌;柳鹏;吴扬;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01S1/00 | 分类号： | H01S1/00;G02F1/01 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种产生太赫兹调制波的方法，其包括以下步骤：提供一太赫兹波源，并使该太赫兹波源激发产生太赫兹波；以及在所述太赫兹波源的出射面一侧设置一碳纳米管结构，使该太赫兹波源产生的太赫兹波透过该碳纳米管结构后发射出去，其中，该碳纳米管结构包括多个沿同一方向定向延伸的碳纳米管。 | ||
| 搜索关键词： | 太赫兹波源 碳纳米管结构 太赫兹波 调制波 碳纳米管 同一方向 出射面 发射 激发 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种产生太赫兹调制波的方法，其包括以下步骤：/n提供一太赫兹波源，并使该太赫兹波源激发产生太赫兹波；以及/n在所述太赫兹波源的出射面一侧设置一碳纳米管结构，使该太赫兹波源产生的太赫兹波透过该碳纳米管结构后发射出去，其中，该碳纳米管结构包括多个沿同一方向定向延伸的碳纳米管，该碳纳米管结构的太赫兹波穿透率随着波数或波长呈波峰波谷交替形状；进一步，所述多个碳纳米管的表面包覆有金属导电层；在远红外波段，包覆金属导电层的碳纳米管结构比纯碳纳米管结构的波峰波谷交替现象增强，且包覆金属导电层的碳纳米管结构的穿透率在低波数范围有上升趋势；在中红外波段，包覆金属导电层的碳纳米管结构比纯碳纳米管结构的穿透率下降，但是包覆金属导电层的碳纳米管结构的波峰波谷交替现象却比纯碳纳米管结构增强。/n
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