[发明专利]一种基于FinFET器件的电流模D触发器有效
申请号: | 201710259231.8 | 申请日: | 2017-04-20 |
公开(公告)号: | CN107196627B | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 胡建平;熊阳;柏文敬 | 申请(专利权)人: | 宁波大学 |
主分类号: | H03K3/356 | 分类号: | H03K3/356;H03K3/012 |
代理公司: | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人: | 方小惠 |
地址: | 315211 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于FinFET器件的电流模D触发器,包括第一P型FinFET管、第二P型FinFET管、第三P型FinFET管、第四P型FinFET管、第一N型FinFET管、第二N型FinFET管、第三N型FinFET管、第四N型FinFET管、第五N型FinFET管、第六N型FinFET管、第七N型FinFET管和第八N型FinFET管;优点是电路面积、延时、功耗和功耗延时积均较小。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 finfet 器件 电流 触发器 | ||
【主权项】:
一种基于FinFET器件的电流模D触发器,其特征在于包括第一P型FinFET管、第二P型FinFET管、第三P型FinFET管、第四P型FinFET管、第一N型FinFET管、第二N型FinFET管、第三N型FinFET管、第四N型FinFET管、第五N型FinFET管、第六N型FinFET管、第七N型FinFET管和第八N型FinFET管,所述的第一P型FinFET管、所述的第二P型FinFET管、所述的第三P型FinFET管和所述的第四P型FinFET管分别为低阈值P型FinFET管,所述的第一N型FinFET管、所述的第六N型FinFET管、所述的第七N型FinFET管和所述的第八N型FinFET管分别为低阈值N型FinFET管,所述的第二N型FinFET管、所述的第三N型FinFET管、所述的第四N型FinFET管和所述的第五N型FinFET管分别为高阈值N型FinFET管,所述的第一P型FinFET管的源极、所述的第二P型FinFET管的源极、所述的第三P型FinFET管的源极和所述的第四P型FinFET管的源极均接入电源,所述的第一P型FinFET管的前栅、所述的第一P型FinFET管的背栅、所述的第二P型FinFET管的前栅、所述的第二P型FinFET管的背栅、所述的第三P型FinFET管的前栅、所述的第三P型FinFET管的背栅、所述的第四P型FinFET管的前栅和所述的第四P型FinFET管的背栅连接且其连接端为所述的电流模D触发器的第一控制端,所述的第二P型FinFET管的漏极、所述的第一N型FinFET管的前栅、所述的第一N型FinFET管的背栅、所述的第二N型FinFET管的漏极、所述的第三N型FinFET管的漏极和所述的第四N型FinFET管的前栅连接,所述的第一P型FinFET管的漏极、所述的第一N型FinFET管的漏极和所述的第二N型FinFET管的前栅连接,所述的第三P型FinFET管的漏极、所述的第四N型FinFET管的漏极、所述的第五N型FinFET管的漏极、所述的第六N型FinFET管的前栅和所述的第六N型FinFET管的背栅连接且其连接端为所述的电流模D触发器的输出端,所述的第四P型FinFET管的漏极、所述的第五N型FinFET管的前栅和所述的第六N型FinFET管的漏极连接且其连接端为所述的电流模D触发器的反相输出端,所述的第一N型FinFET管的源极、所述的第二N型FinFET管的源极、所述的第三N型FinFET管的源极和所述的第七N型FinFET管的漏极连接,所述的第四N型FinFET管的源极、所述的第五N型FinFET管的源极、所述的第六N型FinFET管的源极和所述的第八N型FinFET管的漏极连接,所述的第七N型FinFET管的前栅、所述的第七N型FinFET管的背栅、所述的第八N型FinFET管的前栅和所述的第八N型FinFET管的背栅连接且其连接端为所述的电流模D触发器的第二控制端,所述的第七N型FinFET管的源极和所述的第八N型FinFET管的源极均接地,所述的第三N型FinFET管的前栅为所述的电流模D触发器的输入端,用于接入输入信号,所述的第三N型FinFET管的背栅和所述的第五N型FinFET管的背栅连接且其连接端为所述的电流模D触发器的时钟端,用于接入时钟信号,所述的第二N型FinFET管的背栅和所述的第四N型FinFET管的背栅连接且其连接端为所述的电流模D触发器的反相时钟端,用于接入时钟信号的反相信号。
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