[发明专利]一种总剂量效应的探测方法及装置

摘要

本发明适用电子信息技术领域，提供了一种总剂量效应的探测方法及装置，所述方法包括：对待测芯片中的电路进行可测性设计，构造待测芯片总剂量效应的原始信号，生成原始信号的观测矩阵及观测矩阵中行向量对应的测试向量集，对预设数量个待测芯片进行总剂量辐照，由所有测试向量集对辐照后对应的测试芯片进行测试，以确定辐照后的待测芯片是否出错，当出错时，根据所有测试结果和观测矩阵生成压缩感知方程，通过预设的信号重构算法和压缩感知方程生成待测芯片内部总剂量效应的敏感逻辑单元分布，从而结合可测性设计和压缩感知理论，观测待测芯片内部每个逻辑单元在总剂量辐照后的状态，高效、准确地定位待测芯片内部对总剂量效应敏感的逻辑单元。

主权项

1.一种总剂量效应的探测方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：对待测芯片中的电路进行可测性设计；根据所述待测芯片中逻辑单元对总剂量效应的敏感性状态，构造所述待测芯片总剂量效应的原始信号，生成所述原始信号的观测矩阵，其中，所述敏感性状态根据所述待测芯片内部所述逻辑单元的属性确定；根据所述观测矩阵中的行向量，生成对应的测试向量集；对预设数量个所述待测芯片进行总剂量辐照，通过所有测试向量集对辐照后对应的待测芯片进行测试，以确定所述辐照后的待测芯片是否出错；当确定所述辐照后的待测芯片出错时，根据所述所有测试向量集的测试结果和所述观测矩阵，生成压缩感知方程，根据所述压缩感知方程和预设的信号重构算法，生成并输出所述待测芯片内部总剂量效应的敏感逻辑单元分布。