[发明专利]可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶装置有效
申请号: | 201710247963.5 | 申请日: | 2017-04-17 |
公开(公告)号: | CN108735646B | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
发明(设计)人: | 卢彦豪 | 申请(专利权)人: | 梭特科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/677 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶装置,包含第一移转机构、第二移转机构及第三移转机构,第二移转机构的第二旋转路径相接于第一旋转路径,第三移转机构的第三旋转路径相接于第一旋转路径及第二旋转路径,目标晶粒依序通过第一移转构件及第二移转构件的移转,而自晶粒供应面移转目标晶粒至置晶承托面,或者目标晶粒依序通过第一移转构件、第三移转构件及第二移转构件的移转,而自晶粒供应面移转目标晶粒至置晶承托面,其中目标晶粒每经过一次移转则翻面,以通过移转的次数决定目标晶粒以正面或反面置晶于置晶承托面。 | ||
搜索关键词: | 兼用 正面 反面 装置 | ||
【主权项】:
1.一种可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶装置,包含:第一移转机构,包括第一移转构件,所述的第一移转构件经设置而绕第一旋转轴线沿第一旋转路径旋转;第二移转机构,包括第二移转构件,所述的第二移转构件经设置而绕第二旋转轴线沿第二旋转路径旋转,所述的第二旋转路径相接于所述的第一旋转路径;以及第三移转机构,包括第三移转构件,所述的第三移转构件经设置而绕第三旋转轴线沿第三旋转路径旋转,所述的第三旋转路径相接于所述的第一旋转路径以及所述的第二旋转路径,其中,待置晶的目标晶粒依序通过所述的第一移转构件及所述的第二移转构件的移转,而经由所述的第一旋转路径及所述的第二旋转路径自晶粒供应面移转所述的目标晶粒至置晶承托面,或者所述的目标晶粒依序通过所述的第一移转构件、所述的第三移转构件及所述的第二移转构件的移转,而经由所述的第一旋转路径、所述的第三旋转路径及所述的第二旋转路径自所述的晶粒供应面移转所述的目标晶粒至所述的置晶承托面,以及所述的第一移转构件、所述的第二移转构件及所述的第三移转构件中任二者之间的移转以对接的方式进行,所述的对接的方式分别吸取所述的目标晶粒的相反两面而移转晶粒,而使所述的目标晶粒每经过一次移转则翻面,以通过移转的次数决定所述的目标晶粒以正面或反面置晶于所述的置晶承托面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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