[发明专利]利用射频磁控溅射工艺制备BiFeO3薄膜阻变存储器的方法在审
| 申请号： | 201710246585.9 | 申请日： | 2017-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN106835052A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 朱慧;汪鹏飞;冯士维;郭春生;张亚民 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/02;C23C14/04;C23C14/58 |
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| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了利用射频磁控溅射工艺制备BiFeO3薄膜阻变存储器的方法，本方法选择NSTO作为基底，通过射频磁控溅射法制备钙钛矿结构BFO铁电薄膜，然后通过直靶溅射在薄膜上制备0.3mmx0.3mm的顶部电极即可。与现有的技术相比，本发明工艺可控性强，易操作，成本低，制得产物纯度高。而且本发明制备的薄膜具有优越的阻变特性，并具有二极管的单向导电特性，这些优越的特性可使BFO铁电薄膜在阻变存储器中获得应用。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 射频 磁控溅射 工艺 制备 bifeo3 薄膜 存储器 方法 | ||
【主权项】：
利用射频磁控溅射工艺制备BiFeO3薄膜阻变存储器的方法，该方法选择NSTO作为衬底，通过射频磁控溅射法制备出结晶好的BFO薄膜，然后再通过溅射法制备出0.3mmx0.3mm的顶部电极；获得BFO薄膜阻变存储器；其特征在于：该方法包括以下步骤：步骤1)将已清洗好的NSTO衬底固定在托盘上，关好各气阀后抽真空，直至真空度达到3.2x10‑4Pa以上，通入氩气，调节分子泵插板阀，将气压调整到3‑5Pa；步骤2)设定衬底温度为室温，开射频源起辉，溅射功率分别为65W，对靶材进行预溅射5分钟，然后打开挡板进行溅射沉积BiFeO3镀膜，之后用管式炉退火；步骤3)上电极的制备；在带有0.3mmx0.3mm方孔的掩膜版的遮挡下，通过溅射法在BFO铁电薄膜上沉积0.3mmx0.3mm的电极即可。
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