[发明专利]一种边发射半导体激光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710241366.1 | 申请日： | 2017-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN106972344B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 招瑜;张梦龙;李京波 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/042 |
| 代理公司： | 广东广信君达律师事务所 44329 | 代理人： | 杨晓松 |
| 地址： | 510062 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种边发射半导体激光器件，所述激光器件包括衬底(1)、沉积于所述衬底(1)上的半导体外延层及设于所述半导体外延层的侧面的反射端面(8)和出射端面(9)；所述半导体外延层自下而上包括第一导电包覆层(2)、发光层(3)及第二导电包覆层(4)；所述第二导电包覆层(4)一端设置有第二电极(6)，所述衬底(1)底部或所述第一导电包覆层(2)一端设置有第一电极(7)；所述反射端面(8)上设置有周期介质复合层(10)，所述周期介质复合层(10)由三维的周期性排列介质层(11)和低折射率材料层(12)组成；本发明还公开了一种边发射半导体激光器件的制造方法。本发明器件具有高的反射率，可有效减少谐振腔的腔面损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发射 半导体激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种边发射半导体激光器件，其特征在于：所述激光器件包括衬底(1)、沉积于所述衬底(1)上的半导体外延层及设于所述半导体外延层的侧面的反射端面(8)和出射端面(9)；所述半导体外延层自下而上包括第一导电包覆层(2)、发光层(3)及第二导电包覆层(4)；所述第二导电包覆层(4)一端设置有第二电极(6)，所述衬底(1)底部或所述第一导电包覆层(2)一端设置有第一电极(7)；所述反射端面(8)上设置有周期介质复合层(10)，所述周期介质复合层(10)由三维的周期性排列介质层(11)和低折射率材料层(12)组成。
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