[发明专利]一种适用于逐棒计算的非均匀泄漏修正方法有效
| 申请号： | 201710240987.8 | 申请日： | 2017-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN107423542B | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 李云召;张斌;吴宏春;曹良志 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 61215 西安智大知识产权代理事务所 | 代理人： | 何会侠 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种适用于逐棒计算的非均匀泄漏修正方法，包括如下步骤：1、统计栅元信息，首先对非均匀组件进行高阶输运计算，然后计算得到组件中各个栅元的均匀化截面以及平均中子通量密度、各栅元表面的净中子流密度和中子通量密度；2、根据等效均匀化原理为非均匀泄漏修正的求解方法产生不连续因子；采用纵坐标离散法对非均匀泄漏修正模型进行求解；3、利用非均匀泄漏修正产生的临界能谱修正中子通量密度分布，重新归并得到均匀化截面，并产生相应的扩散系数，并对均匀化截面和扩散系数乘上栅元均匀化组件与非均匀组件的通量比值；本发明可以利用非均匀泄漏修正模型求得各个栅元各自的能谱修正因子以及其泄漏系数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 计算 均匀 泄漏 修正 方法 | ||
【主权项】：
1.一种适用于逐棒计算的非均匀泄漏修正方法，其特征在于：包括如下步骤：/n步骤1：对拥有精细材料分布的非均匀单组件进行中子输运计算，边界条件采用全反射边界条件，统计组件中所有栅元的各能群的平均中子通量密度、所有栅元的各个面上各能群的净中子流密度和中子通量密度；/n步骤2：在拥有精细材料分布的非均匀单组件中子输运计算后，根据组件内中子通量密度的分布，利用通量体积权重方法求得各个栅元的多群均匀化截面，组件内各个栅元的均匀化截面就构成了栅元均匀化后的单组件；/n步骤3：为了保证栅元均匀化后的单组件与拥有精细材料分布的非均匀组件保持一致，需要利用等效均匀化原理为非均匀泄漏修正的求解方法产生不连续因子；采用纵坐标离散法对非均匀泄漏修正模型进行求解；根据等效均匀化理论需要保证栅元内积分反应率以及中子泄漏率守恒；积分反应率守恒即要求栅元内中子平均通量密度守恒，中子泄漏率守恒即要求净中子流密度守恒，如公式(1)所示；根据公式(1)得到的栅元均匀化后的各个栅元中子平均通量密度和净中子流密度，利用纵坐标离散法对均匀化后的栅元构成的中子输运方程进行求解，得到各个栅元的均匀面通量；利用不连续因子的定义，根据各个栅元的均匀面通量求得各个栅元的不连续因子，如公式(2)所示；/n
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