[发明专利]一种改善超结MOSFETUIS能力的版图结构在审
| 申请号： | 201710237108.6 | 申请日： | 2017-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN106847808A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 任杰;苏海伟 | 申请（专利权）人： | 上海长园维安微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/088 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司31208 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 201202 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种改善超结MOSFET UIS能力的版图结构，与一般功率MOS的版图框架一样，包括有源区、终端区、栅极压焊点、源极压焊点和栅极总线，其终端区位于所述有源区的外围，栅极压焊点、源极压焊点和栅极总线分布于有源区内，其中在有源区的元胞部分，使接触孔Contact只覆盖在P+ body区，与源极N+区隔开a间距。本发明在不改变工艺条件，不增加工艺步骤，只是微调版图中接触孔布局的方案，可以有效的改善器件抗UIS能力，提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 mosfetuis 能力 版图 结构 | ||
【主权项】：
一种改善超结MOSFET UIS能力的版图结构，与一般功率MOS的版图框架一样，包括有源区、终端区、栅极压焊点、源极压焊点和栅极总线，其终端区位于所述有源区的外围，栅极压焊点、源极压焊点和栅极总线分布于有源区内，其特征在于：在有源区的元胞部分，使接触孔Contact只覆盖在P+ body区，与源极N+区隔开a间距。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
