[发明专利]一种利用硅纳米介电材料制备的超疏水表面增强拉曼基底及其制备方法有效
| 申请号： | 201710231551.2 | 申请日： | 2017-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN107064107B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 陈焕君;陈学贤;邓少芝;许宁生 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 44102 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈卫<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 510000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用硅纳米介电材料制备的超疏水表面增强拉曼基底及其制备方法，该基底是由集成有金属纳米颗粒的硅微米锥与纳米线组成的级联结构构成。该结构的制备方法包括如下步骤：S1：将硅片置于小分子醇类和强碱的混合溶液中，水浴加热完成硅微米锥结构的构建；S2：将硅微米锥结构置于银盐溶液与HF溶液的混合腐蚀液中，刻蚀得硅微米/纳米级联结构；S3：用酸溶液浸泡S2所得硅微米/纳米级联结构以除去其表面残留的银纳米颗粒，然后对硅微米/纳米级联结构进行金纳米颗粒的包裹覆盖；S4：使用低表面能物质对S3所得金‑硅纳米复合结构进行表面覆盖修饰，即得所述超疏水表面增强拉曼基底。本发明提供的超疏水表面增强拉曼基底表面具有超疏水特性，其与水的静态接触角为160～162°。 | ||
| 搜索关键词： | 超疏水表面 纳米级 基底 制备 硅纳米 强碱 低表面能物质 金属纳米颗粒 超疏水特性 混合溶液中 金纳米颗粒 静态接触角 银纳米颗粒 表面残留 表面覆盖 复合结构 基底表面 级联结构 介电材料 水浴加热 小分子醇 银盐溶液 腐蚀液 纳米线 酸溶液 硅片 构建 刻蚀 修饰 浸泡 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种利用硅纳米介电材料制备超疏水表面增强拉曼基底的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：/nS1：将n型<100>晶向双面抛光硅片置于小分子醇类和强碱的混合溶液中，水浴加热完成硅微米锥结构的构建；/nS2：将硅微米锥结构置于银盐溶液与HF溶液的混合腐蚀液中，刻蚀得硅微米/纳米级联结构；/nS3：用酸溶液浸泡S2所得硅微米/纳米级联结构以除去其表面残留的银纳米颗粒，然后对硅微米/纳米级联结构进行金纳米颗粒的包裹覆盖；/nS4：使用低表面能物质对S3所得金-硅纳米复合结构进行表面覆盖修饰，即得所述超疏水表面增强拉曼基底；/n其中，S1中的硅片先经预蚀刻处理：将S1中的硅片预先置于质量分数为20％的NaOH溶液中于80℃水浴加热1～2min；/nS1中所述小分子醇类为乙醇和/或异丙醇；所述强碱为氢氧化钠和/或氢氧化钾；/nS2中所述银盐溶液为AgNO3溶液；S3中所述酸溶液为硝酸溶液；/nS4中所述低表面能物质为全氟辛基三乙氧基硅烷。/n
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