[发明专利]一种在多层陶瓷电路加工过程中抑制生瓷变形的工艺方法有效

专利信息
申请号: 201710229300.0 申请日: 2017-04-10
公开(公告)号: CN106981429B 公开(公告)日: 2019-01-01
发明(设计)人: 岳帅旗;刘志辉;张刚;王娜 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 钱成岑
地址: 610036 四川*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开了一种在多层陶瓷电路加工过程中抑制生瓷变形的工艺方法,包括步骤:首先对生瓷进行脱膜、老化,再对老化后的生瓷二次贴膜,然后采用常规的冲孔、填孔、印刷、脱膜、叠层、压层、烧结、分片、测试/检验的多层陶瓷电路工艺进行加工。该方法对生瓷进行脱膜、老化,消除流延的残余应力,让生瓷变形到位,再对老化后的生瓷二次贴膜后进行后续加工,将生瓷形变率从传统的0.06%以上降低到0.03%以下,有效解决多层陶瓷电路层间叠层对位精度差的问题,且与现有技术方法相比操作简单,制造成本低。
搜索关键词: 一种 多层 陶瓷 电路 加工 过程 抑制 变形 工艺 方法
【主权项】:
1.一种在多层陶瓷电路加工过程中抑制生瓷变形的工艺方法,其特征在于,包括以下步骤:首先对生瓷进行脱膜、老化,再对老化后的生瓷二次贴膜,然后采用常规的冲孔、填孔、印刷、脱膜、叠层、压层、烧结、分片、测试/检验的多层陶瓷电路工艺进行加工,所述二次贴膜为单面具有低粘性的有机膜片,所述二次贴膜的有机膜片厚度为30μm~100μm,单面涂敷厚度为0.5um~3um的低粘性涂层。
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