[发明专利]增加硬掩模线宽度的氧化填充材料线

摘要

本发明涉及增加硬掩模线宽度的氧化填充材料线，其中一起始半导体结构包括填充材料层，该填充材料层上方的硬掩膜层，以及该硬掩膜层上方的填充材料线。该起始半导体结构置于蚀刻室内，注入高等离子功率的氧气至该蚀刻室内并执行氧化，以使该填充材料线中的一个或多个被氧化，该填充材料线的宽度通过氧化而增加，以及使用对该氧化的填充材料线与硬掩膜层不具有选择性的化学方式蚀刻该硬掩膜层，其中，该化学方式对于该氧化的填充材料线具有比该硬掩膜层更强的侧向蚀刻选择性。

主权项

一种方法，该方法包括：提供起始半导体结构，该起始半导体结构包括填充材料层，该填充材料层上方的硬掩膜层，以及该硬掩膜层上方的多个填充材料线；放置该起始半导体结构于蚀刻室内；于该放置之后注入氧气与等离子体至该蚀刻室内，以使该多个填充材料线中的一个或多个被氧化，该多个填充材料线中的该氧化的一个或多个填充材料线的宽度增加；以及使用对于该氧化的填充材料线与硬掩膜层不具选择性的化学方式蚀刻该硬掩膜层，且相较于该硬掩膜层，该化学方式对于该氧化的填充材料线具有更强的侧向蚀刻选择性。