[发明专利]基于直接求解技术的VLSI标准单元布局方法有效
| 申请号： | 201710206952.2 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN106980730B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 朱文兴;黄志鹏;陈建利 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 35100 福州元创专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于直接求解技术的VLSI标准单元布局方法，属于VLSI物理设计自动化技术领域。该方法通过建立问题的全局密度函数，利用高斯函数进行卷积光滑化，结合线长模型，从而求解VLSI标准单元全局布局问题。技术方案要点如下：(1)与之前使用均匀划分bin的方法得到离散的密度函数值不同，通过计算单元与整个布局区域重叠约束的全局密度表达式，从而更准确的刻画单元在布局区域上的分布状况。(2)考虑到单元的散开不仅与所处的密度有关，还与周围的密度有关，模型使用高斯函数对非光滑的全局密度函数进行卷积光滑化。再采用罚函数方法将VLSI全局布局的线长目标及密度约束转化为无约束的非线性规划问题，并选择合适的优化技术进行优化。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 直接 求解 技术 vlsi 标准 单元 布局 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于直接求解技术的VLSI标准单元布局方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤S1：把电路表示为超图H＝{V,E}；/n步骤S2：计算全局密度函数；/n步骤S3：通过所述全局密度函数构造密度约束条件；/n步骤S4：采用以修改的高斯函数对所述全局密度函数进行卷积光滑化；/n步骤S5：采用无约束二次规划方法初始化单元的位置；/n步骤S6：计算线长以及线长梯度；/n步骤S7：采用罚函数方法将VLSI全局布局的线长目标及密度约束转化为无约束的非线性规划问题；/n步骤S8：利用优化方法求解所述步骤S7中的非线性规划问题，得到新的单元位置；/n步骤S9：修改所述步骤S4中卷积光滑化过程中的高斯光滑参数以及所述步骤S7中罚函数中的罚参数；/n步骤S10：循环所述步骤S6至所述步骤S9，直到溢出率满足要求，得到并输出总体布局结果，在所述步骤S1中，所述超图H＝{V,E}中，V＝{v
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