[发明专利]混合光刻系统及混合光刻方法有效
| 申请号： | 201710206374.2 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN106681106B | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 浦东林;陈林森;朱鹏飞;张瑾;朱鸣;魏国军 | 申请（专利权）人： | 苏州苏大维格光电科技股份有限公司;苏州大学 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 杨波 |
| 地址： | 215026 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种混合光刻系统，包括光源、光束整形器、光场调制器、反射镜、成像光学系统和位相器件，光束整形器用于整形光源发出的光束；光场调制器用于将整形后的光束生成图形光；成像光学系统和反射镜用于将光场传递至待曝光的光刻件表面实现直写光刻；位相器件用于在光刻件的表面形成干涉曝光场实现干涉光刻。本发明的混合光刻系统具有直写光刻和干涉光刻两种功能，可进行混合光刻，提高了纳米光刻效率，推动微纳结构相关的器件和材料应用具有重要意义。本发明还涉及一种的混合光刻方法。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 光刻 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种混合光刻系统，其特征在于，包括：光源(11)；光束整形器(12)，该光束整形器(12)用于整形该光源(11)发出的光线；光场调制器(13)，该光场调制器(13)用于显示光刻图像，将整形后的光线经过光场调制器(13)生成图形光；反射镜(14)，该反射镜(14)用于将图形光反射至待曝光的光刻件(101)表面实现直写光刻；以及位相器件(15)，该位相器件(15)用于在光刻件(101)的表面形成干涉曝光场实现干涉光刻,该位相器件(15)可移除的设置于该反射镜(14)与光刻件(101)之间，实现直写光刻和干涉光刻的切换。
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