[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 201710203359.2 | 申请日： | 2017-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN107818919A | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 黄彦钧;陈婷婷;苏煜中;聂菱甫;苏品全;蔡腾群;黄泰钧;郑雅如 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L27/088 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 李昕巍,章侃铱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例公开一种半导体装置的形成方法，具体为一种鳍状场效晶体管结构与其形成方法。在一方法中，形成凹陷露出晶片上的多个半导体鳍状物。虚置接点材料形成于凹陷中。虚置接点材料含碳。以一或多道烘烤步骤硬化虚置接点材料。一或多道烘烤步骤可硬化虚置接点材料。将虚置接点材料的第一部分置换为层间介电层。将虚置接点材料的第二部分置换为多个接点。接点电性耦接至半导体鳍状物的源极/漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的形成方法，包括：形成一凹陷，以露出一晶片上的多个半导体鳍状物；形成一虚置接点材料于该凹陷中，且该虚置接点材料含碳；以一或多道烘烤步骤硬化该虚置接点材料，且该或所述多道烘烤步骤硬化该虚置接点材料；将该虚置接点材料的第一部分置换为一层间介电物；以及将该虚置接点材料的第二部分置换为多个接点，且所述多个接点电性耦接至所述多个半导体鳍状物的源极/漏极区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710203359.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：磁性片及电子设备
- 下一篇：应变GeSnPMOS器件及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
