[发明专利]硒化镉量子点和纳米多孔碳复合材料及其制备方法有效
申请号: | 201710202017.9 | 申请日: | 2017-03-30 |
公开(公告)号: | CN106920855B | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 李亚丰;杭云海 | 申请(专利权)人: | 长春工业大学 |
主分类号: | H01L31/028 | 分类号: | H01L31/028;H01L31/0296;H01L31/0352 |
代理公司: | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人: | 张向琨 |
地址: | 130012 吉林*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明提供一种硒化镉量子点和纳米多孔碳复合材料及其制备方法。所述硒化镉量子点和纳米多孔碳复合材料由硒化镉量子点和纳米多孔碳复合形成,所述硒化镉量子点原位生长于所述纳米多孔碳的表面,所述纳米多孔碳通过在惰性气体保护下煅烧沸石咪唑酯类配位聚合物得到。本发明的纳米多孔碳具有比表面积大、孔道均匀、孔道尺寸大的优点,在与硒化镉量子点形成复合材料时可提高硒化镉量子点的分散度,控制硒化镉量子点的晶粒尺寸,减少小尺寸的硒化镉量子点的生成,使复合材料的光催化效率以及寿命得到明显改善。 | ||
搜索关键词: | 硒化镉 量子 纳米 多孔 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种硒化镉量子点和纳米多孔碳复合材料,其特征在于,所述复合材料由硒化镉量子点和纳米多孔碳复合形成,所述硒化镉量子点原位生长于所述纳米多孔碳的表面,所述纳米多孔碳通过在惰性气体保护下煅烧沸石咪唑酯类配位聚合物得到,在所述硒化镉量子点和纳米多孔碳复合材料中,硒化镉量子点为立方相。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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