[发明专利]一种非平面基底材料的真空镀膜方法在审

专利信息
申请号: 201710188514.8 申请日: 2017-03-27
公开(公告)号: CN106893994A 公开(公告)日: 2017-06-27
发明(设计)人: 陈海燕 申请(专利权)人: 德施普科技发展温州有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/02
代理公司: 北京富天文博兴知识产权代理事务所(普通合伙)11272 代理人: 刘寿椿
地址: 325000 浙江省温州市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种非平面基底材料的真空镀膜方法,使用加压水枪对非平面基底材料的表面进行清洗,后采用金属喷枪对非平面基底材料的表面进行涂布操作;将涂布后的非平面基底材料移至真空镀膜机中,将靶材固定为圆心,使涂布后的非平面基底材料环绕靶材做平面圆周公转运动,同时以涂布后的非平面基底材料对称中心为轴心使涂布后的非平面基底材料自转运动;将真空镀膜机抽取真空度,依次启动高压直流电源和环形磁场,使产生的高能电子轰击靶材,形成溅射原子,进行磁控溅射,均匀的沉积在涂布后的非平面基底材料表面形成镀膜。本发明采用的真空镀膜方法以磁控溅射法为技术核心,针对非平面基底材料进行优质镀膜。
搜索关键词: 一种 平面 基底 材料 真空镀膜 方法
【主权项】:
一种非平面基底材料的真空镀膜方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1,使用流速为1m/s~50m/s、口部直径为2mm~10mm的加压水枪对非平面基底材料的表面进行清洗2次~3次,每次清洗15min~30min,清洗洁净后采用金属喷枪对非平面基底材料的表面进行涂布操作,得到涂布后的非平面基底材料;步骤S2,将步骤S1得到的涂布后的非平面基底材料移至真空镀膜机中,将靶材固定为圆心,使涂布后的非平面基底材料环绕靶材做平面圆周公转运动,同时以涂布后的非平面基底材料对称中心为轴心使涂布后的非平面基底材料自转运动;步骤S3,将真空镀膜机抽取真空度至5×10‑5Pa~8×10‑5Pa,调节温度为20℃~30℃,依次启动高压直流电源和环形磁场,使产生的高能电子轰击靶材,形成溅射原子,进行磁控溅射,均匀的沉积在涂布后的非平面基底材料表面形成镀膜。
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