[发明专利]P型晶体硅双面电池结构及其制作方法

摘要

本发明提供了一种P型晶体硅双面电池结构及其制作方法，电池结构由正面至背面依次包括：正面减反射膜、正面钝化膜、N型掺杂层、P型晶硅基体(4)、第一背面钝化膜、第二背面钝化膜；电池正面排布正面负极细栅线收集电子，并通过穿透电池片的过孔电极导入电池背面的背面负极主栅线；电池背面的背面正极细栅线和背面正极主栅线分布于过孔电极以外的区域，且背面正极主栅线与背面正极细栅线相交将电池背面收集的空穴导入背面正极主栅线。

主权项

1.一种P型晶体硅双面电池结构，其特征在于，由正面至背面依次包括：正面负极细栅线、正面减反射膜(1)、正面钝化膜(2)、N型掺杂层(3)、P型晶硅基体(4)、第一背面钝化膜(5)、第二背面钝化膜(6)和背面正极细栅线(7)；电池正面排布的正面负极细栅线收集电子，并通过穿透电池片的过孔电极(8)导入电池背面的背面负极主栅线；电池背面的背面正极细栅线(7)和背面正极主栅线(9)分布于过孔电极(8)以外的区域，且背面正极细栅线(7)与背面正极主栅线(9)相交将电池背面收集的空穴导入背面正极主栅线(9)；所述的正面负极细栅线穿透正面减反射膜(1)及正面钝化膜(2)，与N型掺杂层(3)形成欧姆接触，同时与过孔电极(8)熔接，构成电子收集器；背面正极细栅线(7)穿透第一背面钝化膜(5)和第二背面钝化膜(6)与P型晶硅基体(4)形成欧姆接触，同时与背面正极主栅线(9)熔接，构成空穴收集器；所述的过孔电极(8)设置在P型硅片上的通孔中，通孔在厚度方向贯通整个P型硅片，通孔内壁为N型掺杂层(3)和钝化膜。