[发明专利]像素单元及其制造方法、阵列基板和显示装置有效

专利信息
申请号: 201710180474.2 申请日: 2017-03-23
公开(公告)号: CN108628046B 公开(公告)日: 2021-04-27
发明(设计)人: 任兴凤;车璐;曾玲玲 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1333;G02F1/1343
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 姜春咸;陈源
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种像素单元,其中,所述像素单元包括薄膜晶体管、像素电极、第一绝缘层、第二绝缘层、公共电极和公共电极线,所述公共电极线与所述公共电极电连接,所述第一绝缘层设置在所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极之间,所述像素电极通过贯穿所述第一绝缘层的过孔与所述漏极电连接,所述第二绝缘层设置在所述像素电极与所述公共电极线之间,以将所述像素电极与所述公共电极线绝缘间隔,且所述第二绝缘层的一部分和所述公共电极线的一部分均位于所述过孔中。本发明还提供一种阵列基板、一种显示装置、和一种像素单元的制造方法。当所述像素单元发生亮点异常时,可以方便地对对所述像素单元执行暗点化修复操作。
搜索关键词: 像素 单元 及其 制造 方法 阵列 显示装置
【主权项】:
1.一种像素单元,其特征在于,所述像素单元包括薄膜晶体管、像素电极、第一绝缘层、第二绝缘层、公共电极和公共电极线,所述公共电极线与所述公共电极电连接,所述第一绝缘层设置在所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极之间,所述像素电极通过贯穿所述第一绝缘层的过孔与所述漏极电连接,所述第二绝缘层设置在所述像素电极与所述公共电极线之间,以将所述像素电极与所述公共电极线绝缘间隔,且所述第二绝缘层的一部分和所述公共电极线的一部分均位于所述过孔中。
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