[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710178653.2 | 申请日： | 2017-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN107230729B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 蓝偟翔;刘致为;刘继文;黄仕贤;翁翊轩;叶泓佑;蔡仲恩 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;刘致为 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： |
一种半导体器件包括位于衬底上方沿着第一方向延伸的鳍，和位于鳍上方在第二方向上延伸的栅极结构。栅极结构包括位于鳍上方的栅极介电层、位于栅极介电层上方的栅电极、和位于沿着第二方向延伸的栅电极的相对横向表面上的绝缘栅极侧壁。在与栅电极结构相邻的区域中的鳍中形成源极/漏极区，并且应力源层位于源极/漏极区和半导体衬底之间。应力源层包括含有10 |
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| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：鳍，在半导体衬底上方沿着第一方向延伸；栅极结构，位于所述鳍上方，在第二方向上延伸；其中，所述栅极结构包括：栅极介电层，位于所述鳍上方；栅电极，位于所述栅极介电层上方；以及绝缘栅极侧壁，位于沿着所述第二方向延伸的所述栅电极的相对横向表面上；源极/漏极区，位于与所述栅电极结构相邻的区域中的所述鳍中；以及应力源层，位于所述源极/漏极区和所述半导体衬底之间，其中，所述应力源层包括含有1019原子cm‑3或更少的掺杂剂的GeSn或SiGeSn，并且所述鳍的位于所述栅极结构下方的部分是沟道区。
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