[发明专利]一种低辐射玻璃的制备方法有效
| 申请号： | 201710177909.8 | 申请日： | 2017-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN106957155A | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 魏芳芳 | 申请（专利权）人： | 合肥协耀玻璃制品有限公司 |
| 主分类号： | C03C23/00 | 分类号： | C03C23/00;C03C17/09;C03C17/22 |
| 代理公司： | 合肥道正企智知识产权代理有限公司34130 | 代理人： | 吴琼 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市肥西县*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种低辐射玻璃的制备方法，包括如下步骤：（1）将清洁干净的待镀玻璃工件竖直置于支架上，送入真空镀膜仓中；（2）密封真空镀膜仓，抽真空，然后通入适量的工艺气体；并保持真空度稳定；（3）靶材Ag、Si嵌入阴极，与阴极垂直的水平方向置入磁场构成磁控靶；（4）磁控靶为阴极，通入高压电流；（5）阴极靶靠近待镀玻璃工件表面处平行玻璃往复移动；采用本发明的技术方案，得到由多层金属或其化合物组成的镀层，改进了膜质量，玻璃镀膜的附着力强，绕射性好，这种镀膜玻璃的使用寿命长，减少了使用期间的维修和更换次数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辐射 玻璃 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低辐射玻璃的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：（1）将清洁干净的待镀玻璃工件竖直置于支架上，送入真空镀膜仓中；（2）密封真空镀膜仓，抽真空，然后通入适量的工艺气体；并保持真空度稳定；（3）靶材Ag、Si嵌入阴极，与阴极垂直的水平方向置入磁场构成磁控靶；（4）磁控靶为阴极，通入高压电流；（5）阴极靶靠近待镀玻璃工件表面处平行玻璃往复移动。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥协耀玻璃制品有限公司，未经合肥协耀玻璃制品有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710177909.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高透三银低辐射节能玻璃
- 下一篇：一种建筑废弃物资源化处理系统方法
