[发明专利]喷头在审
申请号: | 201710177867.8 | 申请日: | 2017-03-23 |
公开(公告)号: | CN107267958A | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 邱志强;刘定一;林锦枫;吕伯雄 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L21/67 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 喷头配置为安装在处理室上并且将处理气体提供在处理室内的半导体晶圆上。喷头包括供气腔、花盘和电极板组件。花盘设置在供气腔的一侧处。电极板组件设置在气体源和供气腔之间。电极板组件包括具有一体化结构并且具有多个第一气孔的第一板以及具有一体化结构并且具有多个第二气孔的第二板。第二板位于第一板和供气腔之间并且与第一板分离。多个第二气孔与多个第一气孔部分地重叠但是未对准。也提供了具有喷头的半导体装置和半导体工艺。 | ||
搜索关键词: | 喷头 | ||
【主权项】:
一种喷头,所述喷头配置为安装在处理室之上并且将处理气体提供在所述处理室内的半导体晶圆上,所述喷头包括:供气腔;花盘,设置在所述供气腔的一侧处以用于提供从所述供气腔流至所述半导体晶圆的所述处理气体;以及电极板组件,设置在气体源和所述供气腔之间以用于将所述处理气体从所述气体源提供至所述供气腔,所述电极板组件包括:第一板,具有一体化结构并且具有多个第一气孔;和第二板,具有一体化结构并且具有多个第二气孔,其中,所述第二板位于所述第一板和所述供气腔之间并且与所述第一板分离,所述多个第二气孔与所述多个第一气孔部分地重叠但是未对准。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的