[发明专利]使用防护区域的静电放电保护设备和方法有效
| 申请号： | 201710177516.7 | 申请日： | 2017-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN107230673B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 赖大伟 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H02H9/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 荷兰埃因霍温高科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种硅控整流器(SCR)电路，该硅控整流器(SCR)电路被配置成将静电放电(ESD)电流从节点分流到参考电压。SCR电路包括具有连接到节点的第一发射极、第一基极和第一集电极的第一双极PNP晶体管。第二双极NPN晶体管具有与第一基极共享第一区域的第二集电极，与第一集电极共享第二区域的第二基极，以及电连接到参考电压的发射极。防护区域被配置且布置成响应于ESD事件通过阻碍在第二区域中的电流延迟SCR电路的触发。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 防护 区域 静电 放电 保护 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种设备，其特征在于，包括：硅控整流器(SCR)电路，所述硅控整流器(SCR)电路被配置成将静电放电(ESD)电流从节点分流到参考电压，所述SCR电路包括：第一双极PNP晶体管，所述第一双极PNP晶体管具有连接到所述节点的第一发射极、第一基极和第一集电极；第二双极NPN晶体管，所述第二双极NPN晶体管具有与所述第一基极共享第一区域的第二集电极，与所述第一集电极共享第二区域的第二基极，以及电连接到所述参考电压的发射极；以及防护区域，所述防护区域被配置且布置成响应于ESD事件通过阻碍在所述第二区域中的电流延迟所述SCR电路的触发。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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