[发明专利]优化4M制程的TFT阵列制备方法有效
| 申请号： | 201710175687.6 | 申请日： | 2017-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN106684037B | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 刘晓娣 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂;刘巍 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种优化4M制程的TFT阵列制备方法。该方法包括：步骤10、在第一道光罩制程中，在玻璃基板上制备栅极层，并图形化栅极层；步骤20、在第二道光罩制程中，对光刻胶层进行曝光显影；第一次湿刻，图形化源漏极层；第一次氧气灰化，减少源漏金属层边的有源层拖尾大小；第一次干刻，形成有源层岛状结构；第二次氧气灰化，露出沟道区域的源漏极层；第二次湿刻，图形化源漏极；第三次氧气灰化，减少接触层拖尾；第二次干刻，刻蚀有源层；步骤30、在第三道光罩制程中，制备钝化层并图案化；步骤40、在第四道光罩制程中，制备透明电极层并图案化。本发明可以在原制程基础上，成功在沟道区消除重掺杂残留(减少约0.9um)，在不定形硅区减少约1um。 | ||
| 搜索关键词： | 优化 tft 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种优化4M制程的TFT阵列制备方法，所述4M指代四道光罩，其特征在于，包括：步骤10、在第一道光罩制程中，在玻璃基板上制备栅极层，并图形化栅极层；然后制备栅极绝缘层、有源层、源漏极层、光刻胶层；步骤20、在第二道光罩制程中，对光刻胶层进行曝光显影；第一次湿刻，图形化源漏极层，形成源漏极区域和有源区域的金属导线结构；第一次氧气灰化，减少源漏金属层边的有源层拖尾大小；第一次干刻，形成有源层岛状结构；第二次氧气灰化，降低光刻胶层厚度以露出沟道区域的源漏极层；第二次湿刻，图形化源漏极；第三次氧气灰化，减少接触层拖尾；第二次干刻，刻蚀有源层，形成薄膜晶体管结构；步骤30、在第三道光罩制程中，制备钝化层，并图案化钝化层；步骤40、在第四道光罩制程中，制备透明电极层，并图案化透明电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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