[发明专利]一种基于无电镀铜SiC颗粒制备石墨烯和碳纳米管混合物的方法

摘要

一种基于无电镀铜SiC颗粒制备石墨烯和碳纳米管混合物的方法，采用化学气相沉积法，在无电镀铜SiC表面生长石墨烯，制备石墨烯和碳纳米管的混合物，具体步骤包括：1）SiC颗粒活化处理；2）无电镀铜SiC颗粒的制备；3）石墨烯和碳纳米管混合物的生长。本发明提供的一种基于无电镀铜SiC颗粒制备石墨烯和碳纳米管混合物的方法，在无电镀铜SiC颗粒表面上生长石墨烯和碳纳米管的混合物，能够有效解决石墨烯增强材料在母材中的团聚现象，提高材料力学性能。该制备方法性价比高，适合大规模生产。

主权项

1.一种基于无电镀铜SiC颗粒制备石墨烯和碳纳米管混合物的方法，其特征在于，采用化学气相沉积法，在无电镀铜SiC表面生长石墨烯，制备石墨烯和碳纳米管的混合物，具体步骤如下：1)SiC颗粒活化处理：对未处理的SiC颗粒实施碱洗、酸洗，并用去离子水清洗，转移进90％～98％SnCl2溶液中进行敏化处理，然后倒入0.5‑1g/L的PdCl2溶液进行活化处理，得到活化的SiC颗粒；2)无电镀铜SiC颗粒的制备：将步骤1)制备的活化的SiC颗粒，置于足量的化学镀铜液中，在20～40℃下搅拌施镀50～70min，过滤，将滤饼转移至去离子水中超声清洗，烘干得到无电镀铜SiC颗粒；3)石墨烯和碳纳米管混合物的生长：采用化学气相沉淀法，将步骤2)得到的无电镀铜SiC颗粒置于压力容器中，抽真空使容器压力降至1Pa以下，通入还原气体，缓慢升温至900～1100℃，通入碳源气体，控制还原气体与碳源气体流量比为1:1～1:2，然后将压力提高至60～70Pa，保持10～15min至石墨烯和碳纳米管混合物生长完成，开始降温，900℃以下停止通入碳源气体，80℃以下停止通入还原气体，停止抽真空，得到石墨烯和碳纳米管混合物改性的无电镀铜SiC颗粒。