[发明专利]半导体装置的形成方法有效
| 申请号： | 201710166573.5 | 申请日： | 2017-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN107230672B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 陈宏豪;张哲诚;陈文栋;刘又诚;曾鸿辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供一种方法，包含形成电容，其包含沉积底电极层、沉积电容绝缘层于底电极层上、沉积顶电极层于电容绝缘层上，以及沉积介电层于顶电极层上。以制程气体蚀刻介电层，直到露出顶电极层。在蚀刻介电层时，介电层具有第一蚀刻速率，顶电极层具有第二蚀刻速率，且第一蚀刻速率与第二蚀刻速率的比例高于约5.0。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的形成方法，包括：形成一电容，包括：沉积一底电极层；沉积一电容绝缘层于该底电极层上；沉积一顶电极层于该电容绝缘层上；沉积一介电层于该顶电极层上；以及以一第一制程气体蚀刻该介电层，直到露出该顶电极层，且在露出该顶电极层后，该第一制程气体蚀刻该顶电极层，其中该第一制程气体对该介电层具有一第一蚀刻速率，该第一制程气体对该顶电极层具有一第二蚀刻速率，且该第一蚀刻速率与该第二蚀刻速率的比例高于5.0。
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