[发明专利]一种半导体圆片级封装方法有效
申请号: | 201710166354.7 | 申请日: | 2017-03-20 |
公开(公告)号: | CN107068618B | 公开(公告)日: | 2021-02-19 |
发明(设计)人: | 高国华;朱桂林 | 申请(专利权)人: | 通富微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/304 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 226000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体圆片级封装方法,所述封装方法包括:提供半导体圆片,所述圆片设有若干矩阵排列的芯片,所述芯片之间设有划片槽;所述圆片包括正面及背面,所述芯片的正面即所述圆片的正面,所述芯片的背面即所述圆片的背面;在所述圆片的所述划片槽处形成至少两相互间隔的凹槽;对准两凹槽之间的区域进行切割,以将至少两个所述芯片分离。通过上述方式,本发明预切割形成宽度较小的凹槽,在二次切割时刀片易对准,提高成品率同时提高圆片的利用率。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 圆片级 封装 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体圆片级封装方法,其特征在于,包括:提供半导体圆片,所述圆片设有若干矩阵排列的芯片,所述芯片之间设有划片槽;所述圆片包括正面及背面,所述芯片的正面即所述圆片的正面,所述芯片的背面即所述圆片的背面;在所述圆片的所述划片槽处形成至少两相互间隔的凹槽;对准两凹槽之间的区域进行切割,以将至少两个所述芯片分离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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