[发明专利]FINFET器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201710161651.2 | 申请日： | 2017-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN108630547B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L21/762;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种FINFET器件及其制备方法，所述制备方法包括：在对鳍片进行刻蚀工艺之前，对鳍片两侧的隔离结构执行离子掺杂工艺，使掺杂后的隔离结构的刻蚀速率小于掺杂前的隔离结构的刻蚀速率；接着，对所述鳍片执行刻蚀工艺，去除部分所述鳍片并在刻蚀后的鳍片上生长应力层。本发明提供的制备方法中，在对鳍片进行刻蚀时，可避免对隔离结构造成较大的消耗，从而可防止在栅极结构两侧的侧墙底部产生空洞，使栅极结构和应力层之间不会产生桥接现象，有效改善了所形成的FINFET器件的漏电流现象。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种FINFET器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，在所述衬底上形成有至少一个鳍片和位于所述鳍片两侧的隔离结构，在所述鳍片的上方和两侧上形成有一栅极结构，在所述栅极结构的侧壁上形成有一侧墙；对所述隔离结构执行离子掺杂工艺，掺杂后的隔离结构的刻蚀速率小于掺杂前的隔离结构的刻蚀速率；在执行所述离子掺杂工艺之后对所述鳍片执行刻蚀工艺，去除部分所述鳍片并在刻蚀后的鳍片上生长一应力层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
