[发明专利]晶圆识别码的监测方法以及监测结构有效
| 申请号： | 201710160231.2 | 申请日： | 2017-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN108630563B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 毕强;孙强;陈思安 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶圆识别码的监测方法以及监测结构，监测方法包括：提供具有外围区域的晶圆，所述晶圆外围区域的边缘具有缺口，且所述外围区域还包括晶圆识别码区以及监测区，其中，所述监测区位于所述缺口与所述晶圆识别码区之间，所述晶圆识别码区的中心线、所述监测区的中心线以及所述缺口的中心线相重合；在所述晶圆识别码区的晶圆上生成晶圆识别码；在所述监测区的晶圆上生成监测识别码，且所述监测识别码的中心线与所述晶圆识别码的中心线相重合；监测所述缺口的中心线与所述监测识别码的中心线是否重合，判断生成的所述晶圆识别码是否发生偏移。本发明能够监测生成的晶圆识别码是否发生偏移以及获取晶圆识别码发生偏移的量。 | ||
| 搜索关键词： | 识别码 监测 方法 以及 结构 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆识别码的监测方法，其特征在于，包括：提供具有外围区域的晶圆，所述晶圆外围区域的边缘具有缺口，且所述外围区域还包括晶圆识别码区以及监测区，其中，所述监测区位于所述缺口与所述晶圆识别码区之间，所述晶圆识别码区的中心线、所述监测区的中心线以及所述缺口的中心线相重合；在所述晶圆识别码区的晶圆上生成晶圆识别码；在所述监测区的晶圆上生成监测识别码，且所述监测识别码的中心线与所述晶圆识别码的中心线相重合；监测所述缺口的中心线与所述监测识别码的中心线是否重合，判断生成的所述晶圆识别码是否发生偏移。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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