[发明专利]实现无缝钴间隙填充的方法有效
| 申请号： | 201710145552.5 | 申请日： | 2013-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN106887380B | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 布尚·N·左普;阿夫热里诺·V·杰拉托斯;博·郑;雷宇;付新宇;斯里尼瓦斯·甘迪科塔;尚浩·于;马修·亚伯拉罕 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/285;H01L21/768;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供用于在半导体器件的接触结构中沉积接触金属层的方法。在一个实施方式中，提供一种沉积接触金属层以用于形成半导体器件中的接触结构的方法。所述方法包括进行循环金属沉积工艺以在基板上沉积接触金属层和对设置在基板上的接触金属层进行退火。所述循环金属沉积工艺包括使基板暴露于沉积前驱物气体混合物以在基板上沉积接触金属层的一部分，使所述接触金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺，并重复使基板暴露于沉积前驱物气体混合物和使所述接触金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺的步骤，直到达到所述接触金属层的预定厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 无缝 间隙 填充 方法 | ||
【主权项】：
一种用于在半导体器件中沉积接触结构的方法，包括：进行润湿层沉积工艺以在所述阻挡层上沉积润湿层；在所述润湿层上进行退火工艺；进行金属沉积工艺以在所述润湿层上沉积接触金属层，通过使所述润湿层暴露于沉积前驱物气体混合物而在所述基板上沉积所述接触金属层的一部分；使所述接触金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺；以及对沉积在所述基板上的所述接触金属层进行退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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