[发明专利]一种光罩颗粒尺寸的评估方法有效
| 申请号： | 201710140908.6 | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN106933062B | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 王晓龙;陈力钧;李德建;朱骏 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;张磊 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光罩颗粒尺寸的评估方法，通过在每次对光罩进行颗粒检验完之后，按照当前的曝光照明条件设定对应的颗粒尺寸规格，对颗粒尺寸规格进行动态调整，并以此对光罩颗粒尺寸是否超标进行评估，从而可以明显减少因为颗粒尺寸规格过紧导致的晶圆产品的不必要返工和增加成本的问题，也可以避免一些少数曝光条件下颗粒尺寸已经影响到产品，但实际上却误判为合格的情况，从而可防止部分产品误流出的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 颗粒 尺寸 评估 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光罩颗粒尺寸的评估方法，其中，在光刻过程中，所述光罩表面会有颗粒掉落，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：采用一光罩，按第一曝光照明条件，对第一晶圆批次进行光刻工艺；步骤S02：光刻完成后，对所述光罩进行颗粒检验，并得到第一最大颗粒尺寸；步骤S03：根据第一曝光照明条件，设定第一颗粒尺寸规格；步骤S04：将第一最大颗粒尺寸与第一颗粒尺寸规格对比，并当其超出时提供警报；当曝光照明条件维持第一曝光照明条件不变时，对后续晶圆批次重复执行步骤S01‑步骤S04；当曝光照明条件由第一曝光照明条件变化为第二曝光照明条件时，还包括以下步骤：步骤S05：按第二曝光照明条件，对第二晶圆批次进行光刻工艺；步骤S06：光刻完成后，对所述光罩进行颗粒检验，并得到第二最大颗粒尺寸；步骤S07：根据第二曝光照明条件，设定第二颗粒尺寸规格；步骤S08：将第二最大颗粒尺寸与第二颗粒尺寸规格对比，并当其超出时提供警报；其中，根据曝光照明条件，通过计算得到颗粒的最小成像尺寸，并根据颗粒的最小成像尺寸设定颗粒尺寸规格；所述曝光照明条件包括数值孔径和照明系相干度。
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