[发明专利]一种可提高耐压的局部非平衡超结结构有效
| 申请号： | 201710138159.3 | 申请日： | 2017-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN106684120B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 王晓鲲;杜少杰;陈延湖 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 张勇 |
| 地址： | 250100 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种可提高耐压的局部非平衡超结结构，属于功率半导体器件技术领域，该超结结构包括若干P型柱区和若干N型外延区，所述P型柱区和所述N型外延区交替分布；所述P型柱区和所述N型外延区的一端面与P型掺杂的阳极相连，所述P型柱区和所述N型外延区的另一端面与N型掺杂的阴极相连，所述P型柱区和所述M型外延区均分为两个部分区域；靠近P型掺杂的阳极的P型柱区的一半部分掺杂浓度高于P型柱区的另一半部分，靠近N型掺杂的阴极的N型外延区的一半部分掺杂浓度高于N型外延区的另一半部分。本发明的有益效果为可以增大超结的耐压性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 耐压 局部 平衡 结构 | ||
【主权项】：
一种可提高耐压的局部非平衡超结结构，其特征是：该超结结构包括若干P型柱区和若干N型外延区，所述P型柱区和所述N型外延区交替分布；所述P型柱区和所述N型外延区的一端面与P型掺杂的阳极相连，所述P型柱区和所述N型外延区的另一端面与N型掺杂的阴极相连，所述P型柱区和所述M型外延区均分为两个部分区域；靠近P型掺杂的阳极的P型柱区的一半部分掺杂浓度高于P型柱区的另一半部分，靠近N型掺杂的阴极的N型外延区的一半部分掺杂浓度高于N型外延区的另一半部分。
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