[发明专利]用于基底的气相羟基自由基加工的系统和方法有效
| 申请号： | 201710137464.0 | 申请日： | 2017-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN107180774B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 伊安·J·布朗;华莱士·P·普林茨 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;董文国 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及用于基底的气相羟基自由基加工的系统和方法。用于加工基底的装置和方法。该方法包括将基底设置在基底加工系统的加工室内。所述基底包括在基底的工作表面上的含碳材料的层。该方法还包括在基底加工系统的蒸气处理区中接收过氧化氢蒸气，通过在蒸气处理区中处理过氧化氢蒸气来产生羟基自由基蒸气，以及将羟基自由基蒸气和剩余的过氧化氢蒸气引导至基底的工作表面，使含碳材料被化学改性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 基底 羟基 自由基 加工 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种用于加工基底的方法，所述方法包括：将基底设置在基底加工系统的加工室内，所述基底包括在所述基底的工作表面上的含碳材料的层；在所述基底加工系统的蒸气处理区中接收过氧化氢蒸气；通过在所述蒸气处理区中处理所述过氧化氢蒸气来产生羟基自由基蒸气，以及将所述羟基自由基蒸气和剩余的过氧化氢蒸气引导至所述基底的所述工作表面，使所述含碳材料被化学改性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
