[发明专利]静电放电保护有效
| 申请号： | 201710135318.4 | 申请日： | 2017-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN107180818B | 公开（公告）日： | 2023-01-20 |
| 发明（设计）人： | 赖大伟 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 荷兰埃因霍温高科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文提供一种被配置成为集成电路提供静电放电(ESD)保护的双极结型晶体管。该双极结型晶体管包括衬底，该衬底被配置成充当用于该双极结型晶体管的栅极。至少一个漏极指在该衬底的第一表面上在第一方向上延伸并且被配置成充当用于该双极结型晶体管的集电极。至少一个源极指在该衬底的该第一表面上在该第一方向上延伸并且被配置成充当用于该双极结型晶体管的发射极。该至少一个源极指包括被配置成设置衬底电位的拾取区。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护 | ||
【主权项】：
一种设备，其特征在于，包括：双极结型晶体管，所述双极结型晶体管被配置成为集成电路提供静电放电(ESD)保护，所述双极结型晶体管包括：衬底，所述衬底被配置成充当用于所述双极结型晶体管的基极；至少一个漏极指，所述至少一个漏极指在所述衬底的第一表面上在第一方向上延伸并且被配置成充当用于所述双极结型晶体管的集电极；及至少一个源极指，所述至少一个源极指在所述衬底的第一表面上在所述第一方向上延伸并且被配置成充当用于所述双极结型晶体管的发射极，所述至少一个源极指包括被配置成设置衬底电位的拾取区。
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