[发明专利]电力电子组件和半导体器件叠层

摘要

电力电子组件和半导体器件叠层。所述电力电子组件包括半导体器件叠层，半导体器件叠层具有宽带隙半导体器件、半导体冷却芯片和第一电极，半导体冷却芯片热联接到宽带隙半导体器件，第一电极电联接到宽带隙半导体器件并定位在宽带隙半导体器件和半导体冷却芯片之间。半导体冷却芯片定位在衬底层和宽带隙半导体器件之间。衬底层包括衬底入口端口和衬底出口端口。集成流体通道系统在衬底入口端口和衬底出口端口之间延伸，并且包括：衬底流体入口通道，其从衬底入口端口延伸到衬底层中；衬底流体出口通道，其从衬底出口端口延伸到衬底层中；和一个或多个冷却芯片流体通道，其延伸到半导体冷却芯片中。

主权项

一种电力电子组件，所述电力电子组件包括：半导体器件叠层，所述半导体器件叠层包括：宽带隙半导体器件，所述宽带隙半导体器件包括宽带隙半导体材料；半导体冷却芯片，所述半导体冷却芯片包括热联接到所述宽带隙半导体器件的半导体材料；和第一电极，所述第一电极电联接到所述宽带隙半导体器件，并且定位在所述宽带隙半导体器件和所述半导体冷却芯片之间；衬底层，所述衬底层联接到所述半导体器件叠层，使得所述半导体冷却芯片定位在所述衬底层和所述宽带隙半导体器件之间，其中，所述衬底层包括衬底入口端口和衬底出口端口；集成流体通道系统，所述集成流体通道系统在所述衬底层的衬底入口端口和衬底出口端口之间延伸，其中，所述集成流体通道系统包括：衬底流体入口通道，所述衬底流体入口通道从所述衬底入口端口延伸到所述衬底层中；衬底流体出口通道，所述衬底流体出口通道从所述衬底出口端口延伸到所述衬底层中；和一个或多个冷却芯片流体通道，所述一个或多个冷却芯片流体通道延伸到所述半导体冷却芯片中，其中，所述一个或多个冷却芯片流体通道与所述衬底流体入口通道和所述衬底流体出口通道流体连通。