[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201710133211.6 | 申请日： | 2017-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN107180781B | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 白河达彦 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式的半导体装置的制造方法在将经薄膜化的半导体晶片从支撑基板剥离时，使半导体晶片所受的损坏减少。实施方式的半导体装置的制造方法是在线剥离结束位置(E2)，通过将爪(6A)的前端插入到支撑基板(1)与粘接层(2)之间而在支撑基板(1)设置剥离面(H1)，并且在线剥离开始位置(E1)，通过将爪(6B)的前端插入到支撑基板(1)与粘接层(2)之间而在支撑基板(1)设置剥离面(H2)，通过使剥离线(LH)沿剥离方向(DH)移动而将支撑基板(1)从半导体晶片(W)剥离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于：在表面形成着半导体元件的晶片将所述表面朝向支撑基板侧而粘接的所述支撑基板的外周的至少一部分形成剥离面，从所述剥离面来看隔着所述支撑基板的几何学重心朝向所述剥离面的方向将所述晶片与所述支撑基板剥离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
