[发明专利]半导体存储装置

摘要

本发明是一种电极膜的电阻较低的半导体存储装置。半导体存储装置具备：第一电极膜，沿第一方向延伸；第二电极膜，设置于第一电极膜的第二方向上，沿第一方向延伸；第三电极膜，设置于第一电极膜的第二方向上，沿第一方向延伸；绝缘部件，设置于第二电极膜与第三电极膜之间，沿第一方向延伸；第一半导体部件，沿第二方向延伸，贯穿第一电极膜及第二电极膜；第二半导体部件，沿第二方向延伸，贯穿第一电极膜及第三电极膜；及第三半导体部件，沿第二方向延伸，第一部分配置于第二电极膜与第三电极膜之间且与绝缘部件相接，第二部分贯穿第一电极膜。在第一方向上，第三半导体部件的排列密度小于第一半导体部件的排列密度及第二半导体部件的排列密度。

主权项

1.一种半导体存储装置，其特征在于具备：第一电极膜，沿第一方向延伸；第二电极膜，设置于所述第一电极膜的相对于所述第一方向交叉的第二方向上，且沿所述第一方向延伸；第三电极膜，设置于所述第一电极膜的所述第二方向上，且沿所述第一方向延伸；绝缘部件，设置于所述第二电极膜与所述第三电极膜之间，且沿所述第一方向延伸；第一半导体部件，沿所述第二方向延伸，且贯穿所述第一电极膜及所述第二电极膜；第二半导体部件，沿所述第二方向延伸，且贯穿所述第一电极膜及所述第三电极膜；以及第三半导体部件，沿所述第二方向延伸，第一部分配置于所述第二电极膜与所述第三电极膜之间且与所述绝缘部件相接，第二部分贯穿所述第一电极膜；且在所述第一方向上，所述第三半导体部件的排列密度小于所述第一半导体部件的排列密度及所述第二半导体部件的排列密度。