[发明专利]一种图形化敏感金属或金属氧化物材料的加工方法有效
申请号: | 201710132340.3 | 申请日: | 2017-03-07 |
公开(公告)号: | CN106981420B | 公开(公告)日: | 2020-01-21 |
发明(设计)人: | 张凯平;胡媛;刘宇;陆丛研;赵盛杰;张培文;谢常青;刘明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/311 | 分类号: | H01L21/311;H01L21/3213 |
代理公司: | 11302 北京华沛德权律师事务所 | 代理人: | 房德权 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明涉及一种图形化敏感金属或金属氧化物材料的加工方法,所述加工方法包括如下步骤:在真空环境下在衬底上生长一层敏感金属或金属氧化物材料;在所述敏感金属或金属氧化物材料上生长一层介质层;在所述介质层上生长派瑞林涂层;通过光刻、刻蚀的方法,把光刻胶上面的图形转移到所述派瑞林涂层上;用丙酮溶液去除光刻胶,实现所述派瑞林涂层的图形化;用所述派瑞林涂层做掩蔽,用干法刻蚀的方法同时刻蚀介质层和所述敏感金属或金属氧化物材料把图形转移;通过机械拉伸的方法去除所述派瑞林涂层,实现所述敏感金属或金属氧化物材料的图形化。本发明尽可能的避免敏感金属及金属氧化物材料与空气的接触,从而避免对半导体器件性能的影响。 | ||
搜索关键词: | 一种 图形 敏感 金属 氧化物 材料 加工 方法 | ||
【主权项】:
1.一种图形化敏感金属或金属氧化物材料的加工方法,其特征在于,所述加工方法包括如下步骤:/n在真空环境下在衬底上生长一层敏感金属或金属氧化物材料;/n在所述敏感金属或金属氧化物材料上生长一层介质层;/n在所述介质层上生长派瑞林涂层;/n通过光刻、刻蚀的方法,把光刻胶上面的图形转移到所述派瑞林涂层上,包括:在所述派瑞林涂层上面进行光刻;用氧气刻蚀掉没有光刻胶保护的所述派瑞林涂层,把光刻图形转移到派瑞林涂层;其中所述氧气的流量为20sccm,刻蚀上功率为300w,下功率为20w;/n用丙酮溶液去除光刻胶,实现所述派瑞林涂层的图形化;/n用所述派瑞林涂层做掩蔽,用干法刻蚀的方法同时刻蚀介质层和所述敏感金属或金属氧化物材料把图形转移;/n通过机械拉伸的方法去除所述派瑞林涂层,实现所述敏感金属或金属氧化物材料的图形化;/n所述生长派瑞林涂层包括如下步骤:对派瑞林涂材料加热到650℃裂解成为单体;在20℃-30℃下用CVD的方式在所述介质层上均匀生长50nm所述派瑞林涂层;/n所述干法刻蚀的方法为Ar等离子体物理刻蚀;其中氩气流量为30Sccm,RF频率13.56MHz,上功率为300W,下功率为100W;/n所述敏感金属或金属氧化物材料和所述介质层采用溅射的方式生长,溅射功率为50W,氩气流量为20sccm。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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