[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710131034.8 | 申请日： | 2017-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN107180860B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 田中成明;冈彻 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;金世煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供一种减少制造时的繁琐度的技术。本发明的半导体装置具备：由含有镓的氮化物半导体形成的n型半导体区域、与上述n型半导体区域相接且由上述氮化物半导体形成的p型半导体区域、与上述n型半导体区域欧姆接触的第1电极、与上述p型半导体区域欧姆接触的第2电极，其中，上述第1电极和上述第2电极主要由相同的金属形成，上述相同的金属是选自钯、镍、铂中的至少一个金属，上述n型半导体区域的p型杂质浓度和上述p型半导体区域的p型杂质浓度实质上相同，上述n型半导体区域中，n型杂质浓度与p型杂质浓度之差为1.0×10 |
||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：由含有镓的氮化物半导体形成的n型半导体区域、与所述n型半导体区域相接且由所述氮化物半导体形成的p型半导体区域、与所述n型半导体区域欧姆接触的第1电极、与所述p型半导体区域欧姆接触的第2电极，所述第1电极和所述第2电极主要由相同的金属形成，所述相同的金属是选自钯、镍、铂中的至少一种金属，所述n型半导体区域的p型杂质浓度与所述p型半导体区域的p型杂质浓度实质上相同，在所述n型半导体区域中，n型杂质浓度与p型杂质浓度之差为1.0×1019cm－3以上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于丰田合成株式会社，未经丰田合成株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710131034.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体结构元件，尤其功率晶体管
- 下一篇：半导体结构及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
