[发明专利]一种集成肖特基二极管的SiC双沟槽型MOSFET器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201710128665.4 | 申请日： | 2017-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN106876485B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 倪炜江;徐妙玲;卢小东 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L27/06;H01L29/78;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成肖特基二极管的SiC双沟槽型MOSFET器件，该SiC双沟槽型MOSFET器件有源区的原胞结构中设置有两个沟槽，分别是设置在原胞结构中心的栅沟槽和栅沟槽的外围的源沟槽；栅沟槽和源沟槽的底部四周均进行了与漂移区相反导电类型的掺杂；在源沟槽底部的中心区域，设置有肖特基接触，形成与源极电连通的肖特基二极管；在源沟槽底部四周与漂移区相反导电类型掺杂区域形成欧姆接触；两个沟槽的深度都大于所述p基区。本申请采用源和栅双沟槽结构，并且在栅沟槽底部和源沟槽的底部四周进行与漂移区相反导电类型的掺杂，实现对MOS栅的屏蔽，增加栅的可靠性。同时可以屏蔽基区的电场，防止基区的穿通；且集成了具有高浪涌能力的MPS肖特基二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 肖特基 二极管 sic 沟槽 mosfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种集成肖特基二极管的SiC双沟槽型MOSFET器件，所述SiC双沟槽型MOSFET器件有源区的原胞结构从下至上依次为漏极、n+衬底、缓冲层、n‑漂移层、p基区和n++层；其特征在于，在原胞结构中设置有两个沟槽，分别是设置在原胞结构中心的栅沟槽和所述栅沟槽的外围的源沟槽；所述栅沟槽和源沟槽的底部四周均进行了与漂移区相反导电类型的掺杂；在源沟槽底部的中心区域，设置有肖特基接触，形成与源极电连通的肖特基二极管；在源沟槽底部四周与漂移区相反导电类型掺杂区域形成欧姆接触；两个沟槽的深度都大于所述p基区。
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