[发明专利]一种PECVD双面沉积设备在审
| 申请号： | 201710124809.9 | 申请日： | 2017-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN106835072A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 方结彬;何达能;陈刚 | 申请（专利权）人： | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/455;C23C16/458;C23C16/513 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528100 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种PECVD双面沉积设备，包括上料区、加热腔、工艺腔、降温区和下料区，所述上料区、加热腔、工艺腔、降温区和下料区依次连接；所述工艺腔设有上通气板和下通气板，以及与上通气板和下通气板连通的气源装置；所述上通气板和下通气板皆设有通气孔，上通气板和下通气板平行设置并在两板之间设有一条容纳硅片通行的通道；上通气板或下通气板所在平面与水平面所成夹角为1‑5度。采用本发明，可在硅片正反面同时沉积膜层，减少硅片的碎片率，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pecvd 双面 沉积 设备 | ||
【主权项】：
一种PECVD双面沉积设备，其特征在于，包括上料区、加热腔、工艺腔、降温区和下料区，所述上料区、加热腔、工艺腔、降温区和下料区依次连接；所述工艺腔设有上通气板和下通气板，以及与上通气板和下通气板连通的气源装置；所述上通气板和下通气板皆设有通气孔，上通气板和下通气板平行设置并在两板之间设有一条容纳硅片通行的通道；上通气板或下通气板所在平面与水平面所成夹角为1‑5度。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
